【教程】小安派BW21-CBV-Kit——Flash之读、写数据流

材料

• BW21-CBV-Kit x 1

示例

Flash Memory API 使用 3* 4K 字节（12Kb）的内存，这对于大多数应用程序来说通常是足够的。但是，可以通过指定特定的内存地址和所需的大小来提供更大的内存。

在本例中，指定 flash 的起始地址为 0xFD000 （" FLASH_MEMORY_APP_BASE "），大小为 0x1000 （“TEST_SIZE”由用户设置）。没有指向默认偏移值 0 的偏移量。目标闪存地址为 0xFD000。从地址读取所有值，直到“TEST_SIZE”，即 0xFD000 到 0xFE000，然后将所有值存储在“buf”中并增加 1。接下来，比较所有的值，如果它们都是相同的结果成功。最后一步，将所有新值写回相同的地址。每次 BW21-CBV-Kit 重新启动时，读取值将增加，直到“RESET_THRESHOLD”（最多为 0xFFFFFFFF），然后重置为 0。在通过第一个阈值之前，结果可能会失败几次。但是，如果在超过 2 个阈值周期后继续失败，则会导致 100%失败。

打开“文件”->“示例”->“AmebaFlashMemory”->“ReadWriteStream”中的样例代码。

编译并上传到 BW21-CBV-Kit，然后按复位按键多次。打开串行监视器，查看结果。

默认情况下，Flash Memory API 使用地址 0xFD000-0xFFFFF 来存储数据。写入 Flash 时有限制。也就是说，除非先擦除扇区，否则不允许直接将数据写入上次写入时使用的地址。Flash Memory API 有 1 个擦除相关功能。

• 使用“FlashMemory.eraseSector（sector_offset）”擦除 Flash 目标地址的一个扇区（4K 字节）。
• 使用“FlashMemory.eraseWord（offset）”擦除 Flash 目标地址的一个字（4 字节）。