【教程】小安派BW21-CBV-Kit——Flash之读、写数据流

# 材料 * [BW21-CBV-Kit]([https://item.taobao.com/item.htm?id=862824500706&pisk=fNgrCFvhFULPplv5f8zFuhvZJvU8PPp_t2wQtXc3N82k2X1H8xk-Vk2B2vrEdxEnPzGS3JkIs0M7PkTnuWNGZMVhqEb0NWrndJG5wmHssagW2y_UyyUHCdT65bG8JyVy1fQNwrVL9MYQKkXcgNjL3dT65j-uwyGDC46-1aEaOyVuxJjDgWVGryquZiA4tW6uK8DnifOsngRlDk9i6-md3TlefHXbnwbnzeEzQn2bMSgV2uwZZXXdp6Fz4Rcu3dKCIAqm9kud9wzEZcHLsYXkCuhn0xPz8EsuSjonQS3k5TPxVjDLnf5FWb4ruqo30QYogzyzf4rGOgUrxY3U205p6j4oHceTqnpYg4g_YREVnLcjg8qZYgkOpSAzh2nPKMruMSy6gIuPMpm-q9fTCMILmPF4CQN5vMEuMSy6gISdvo4TgRO7N&skuId=5849278146240&spm=a1z10.5-c-s.w4002-24271435864.48.73241e88GUX7ze](https://item.taobao.com/item.htm?id=862824500706&pisk=fNgrCFvhFULPplv5f8zFuhvZJvU8PPp_t2wQtXc3N82k2X1H8xk-Vk2B2vrEdxEnPzGS3JkIs0M7PkTnuWNGZMVhqEb0NWrndJG5wmHssagW2y_UyyUHCdT65bG8JyVy1fQNwrVL9MYQKkXcgNjL3dT65j-uwyGDC46-1aEaOyVuxJjDgWVGryquZiA4tW6uK8DnifOsngRlDk9i6-md3TlefHXbnwbnzeEzQn2bMSgV2uwZZXXdp6Fz4Rcu3dKCIAqm9kud9wzEZcHLsYXkCuhn0xPz8EsuSjonQS3k5TPxVjDLnf5FWb4ruqo30QYogzyzf4rGOgUrxY3U205p6j4oHceTqnpYg4g_YREVnLcjg8qZYgkOpSAzh2nPKMruMSy6gIuPMpm-q9fTCMILmPF4CQN5vMEuMSy6gISdvo4TgRO7N&skuId=5849278146240&spm=a1z10.5-c-s.w4002-24271435864.48.73241e88GUX7ze)) x 1 # 示例 Flash Memory API 使用 3\* 4K 字节（12Kb）的内存，这对于大多数应用程序来说通常是足够的。但是，可以通过指定特定的内存地址和所需的大小来提供更大的内存。 在本例中，指定 flash 的起始地址为 0xFD000 （" FLASH\_MEMORY\_APP\_BASE "），大小为 0x1000 （“TEST\_SIZE”由用户设置）。没有指向默认偏移值 0 的偏移量。目标闪存地址为 0xFD000。从地址读取所有值，直到“TEST\_SIZE”，即 0xFD000 到 0xFE000，然后将所有值存储在“buf”中并增加 1。接下来，比较所有的值，如果它们都是相同的结果成功。最后一步，将所有新值写回相同的地址。每次 BW21-CBV-Kit 重新启动时，读取值将增加，直到“RESET\_THRESHOLD”（最多为 0xFFFFFFFF），然后重置为 0。在通过第一个阈值之前，结果可能会失败几次。但是，如果在超过 2 个阈值周期后继续失败，则会导致 100%失败。 打开**“文件”->“示例”->“AmebaFlashMemory”->“ReadWriteStream”**中的样例代码。 编译并上传到 BW21-CBV-Kit，然后按复位按键多次。打开串行监视器，查看结果。  默认情况下，Flash Memory API 使用地址 0xFD000-0xFFFFF 来存储数据。写入 Flash 时有限制。也就是说，除非先擦除扇区，否则不允许直接将数据写入上次写入时使用的地址。Flash Memory API 有 1 个擦除相关功能。 * 使用“FlashMemory.eraseSector（sector\_offset）”擦除 Flash 目标地址的一个扇区（4K 字节）。 * 使用“FlashMemory.eraseWord（offset）”擦除 Flash 目标地址的一个字（4 字节）。

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