【教程】小安派BW21-CBV-Kit——Flash之读、写字

材料

• BW21-CBV-Kit x 1

示例

说明

Flash Memory API 使用 3 * 4K 字节的内存（12Кb），这对于大多数应用程序来说通常是足够的。然而，更大的可以通过指定特定的内存地址和所需的大小来提供内存。

在本例中，指定 flash 的起始地址为 0xFD00（“FLASH_MEMORY_APP_BASE”），大小为 0x1000。使用偏移量 0x1F00，即 flash 中的 0xFD000+0x1E00 = 0xFEE00。读取地址的值，然后加 1。接下来，将新值写入相同的地址。最后一步，再次从地址中读取值，并与增加的值进行比较。如果值相同，则证明读写一个字成功。每次 BW21-CBV-Kit 重新启动时，读取值都会增加，直到“RESET_THRESHOLD”（最多为 0xFFFFFFFF），然后重置为 0。

实现流程

打开示例“文件”->“示例”->“amebafashmemory”->“ReadWriteWord”。

编译并上传到 BW21-CBV-Kit，多次按复位按键。打开串行监视器，查看结果。

默认情况下，Flash Memory API 使用地址 0xFD000～0xFFFFF 来存储数据。写入 Flash 时有限制。也就是说，除非先擦除扇区，否则不允许直接将数据写入上次写入时使用的地址。Flash Memory API 有 1 个擦除相关功能。

• 使用“FlashMemory.eraseSector（sector_offset）”擦除 Flash 目标地址的一个扇区（4K 字节）。
• 使用“FlashMemory.eraseWord（offset）”擦除 Flash 目标地址的一个字（4 字节）。